IXTA3N100D2HV-TRL
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- 制造商编号：
- IXTA3N100D2HV-TRL
- 制造商：
- IXYS(艾赛斯.力特)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- IXTA3N100D2HV TRL
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：800
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 800 | ￥26.293619 | ￥21034.90 |
规格参数
关键信息
制造商 IXYS
商标 IXYS
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 1 kV
漏极电流 3 A
漏源电阻 6 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4.5 V
栅极电荷 37.5 nC
耗散功率 125 W
通道模式 Depletion
配置 Single
下降时间 40 ns
上升时间 67 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 34 ns
典型接通延迟时间 27 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 2.500 g
IXTA3N100D2HV-TRL 同类别型号
注
IXTA3N100D2HV-TRL品牌厂家：IXYS
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、IXTA3N100D2HV-TRL
数据手册PDF。
IXTA3N100D2HV-TRL
型号：IXTA3N100D2HV-TRL
品牌：IXYS
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 800+： | ￥26.293619 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00