SIZF920DT-T1-GE3
-
图像仅供参考
请参阅产品规格
- 制造商编号：
- SIZF920DT-T1-GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 射频晶体管
- 商品描述：
- MOSFET DL N-CH 30V POWERPAIR 6X5
- 渠道：
- digikey
库存 ：12
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥25.642476 | ￥25.64 |
| 10 | ￥22.979059 | ￥229.79 |
| 25 | ￥21.675683 | ￥541.89 |
| 100 | ￥16.907033 | ￥1690.70 |
| 250 | ￥16.47352 | ￥4118.38 |
| 500 | ￥14.305951 | ￥7152.98 |
| 1000 | ￥12.138382 | ￥12138.38 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET PowerPAK
商标 Vishay / Siliconix
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 76 A, 197 A
漏源电阻 3.07 mOhms, 1.05 mOhms
栅极电压 - 16 V, + 20 V, - 12 V, + 16 V
栅源极阈值电压 1.1 V
栅极电荷 29 nC, 125 nC
耗散功率 28 W, 74 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 5 ns, 10 ns
正向跨导（Min） 65 S, 135 S
上升时间 5 ns, 70 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 20 ns, 43 ns
典型接通延迟时间 11 ns, 17 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 337.318 mg
SIZF920DT-T1-GE3 同类别型号
注
SIZF920DT-T1-GE3
型号：SIZF920DT-T1-GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：12 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥25.642476 |
| 10+： | ￥22.979059 |
| 25+： | ￥21.675683 |
| 100+： | ￥16.907033 |
| 250+： | ￥16.47352 |
| 500+： | ￥14.305951 |
| 1000+： | ￥12.138382 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥25.64