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数量 | 价格 | 总计 |
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制造商 onsemi
商标 onsemi / Fairchild
技术 Si
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 600 V
饱和电压 2.2 V
栅极/发射极最大电压 20 V
在25 C的连续集电极电流 32 A
耗散功率 195 W
集电极连续电流 32 A
集电极连续电流(Max) 32 A
栅极—射极漏泄电流 +/- 100 nA
高度 18.9 mm
长度 15.8 mm
宽度 5 mm
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 Through Hole
产品类型 IGBT Transistors
零件号别名 SGH20N60RUFDTU_NL
单位重量 6.401 g
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0SGH20N60RUFDTU
型号:SGH20N60RUFDTU
品牌:ON
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