ECH8693R-TL-W
库存 ：1141
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥8.167937 | ￥8.17 |
| 10 | ￥7.161742 | ￥71.62 |
| 100 | ￥5.487906 | ￥548.79 |
| 500 | ￥4.338714 | ￥2169.36 |
| 1000 | ￥3.471019 | ￥3471.02 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 24 V
漏极电流 14 A
漏源电阻 7 mOhms
栅极电压 - 12.5 V, + 12.5 V
栅源极阈值电压 1.3 V
栅极电荷 13 nC
耗散功率 1.4 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 22200 ns
正向跨导（Min） 8 S
上升时间 525 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 18650 ns
典型接通延迟时间 545 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 19.450 mg
ECH8693R-TL-W 同类别型号
注
ECH8693R-TL-W品牌厂家：ON
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
、ECH8693R-TL-W
数据手册PDF。
ECH8693R-TL-W
型号：ECH8693R-TL-W
品牌：ON
供货：锐单
库存：1141 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥8.167937 |
| 10+： | ￥7.161742 |
| 100+： | ￥5.487906 |
| 500+： | ￥4.338714 |
| 1000+： | ￥3.471019 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥8.17