
货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ¥0.623548 | ¥1870.64 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 540 mA
漏源电阻 550 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 500 mV
栅极电荷 -
耗散功率 200 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 6 mg
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0DMN2004WKQ-7
型号:DMN2004WKQ-7
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
| 3000+: | ¥0.623548 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00