US6M11TR
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：3000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ￥1.144308 | ￥3432.92 |
规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V, 12 V
漏极电流 1.5 A, 1.3 A
漏源电阻 180 mOhms, 260 mOhms
栅极电压 - 10 V, + 10 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 1.8 nC, 2.4 nC
耗散功率 1 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 3 ns, 9 ns
上升时间 5 ns, 10 ns
晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 20 ns, 30 ns
典型接通延迟时间 5 ns, 8 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 US6M11
单位重量 7.500 mg
US6M11TR 同类别型号
注
US6M11TR品牌厂家：ROHM
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
、US6M11TR
数据手册PDF。
US6M11TR
型号：US6M11TR
品牌：ROHM
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 3000+： | ￥1.144308 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00