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起订量:1
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数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥37.37378 | ¥37.37 |
100 | ¥21.602091 | ¥2160.21 |
450 | ¥13.695665 | ¥6163.05 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
击穿电压(集电极-发射极) 650 V
饱和电压 1.6 V
栅极/发射极最大电压 30 V
在25 C的连续集电极电流 40 A
耗散功率 144 W
集电极连续电流 20 A
集电极连续电流(Max) 85 A
栅极—射极漏泄电流 +/- 200 nA
工作温度范围 - 40 C to + 175 C
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 Through Hole
产品类型 IGBT Transistors
零件号别名 RGTH40TS65D
单位重量 38 g
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0RGTH40TS65DGC11
型号:RGTH40TS65DGC11
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
1+: | ¥37.37378 |
100+: | ¥21.602091 |
450+: | ¥13.695665 |
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