货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥1.514693 | ¥1.51 |
10 | ¥1.161005 | ¥11.61 |
30 | ¥1.096057 | ¥32.88 |
100 | ¥1.031108 | ¥103.11 |
500 | ¥1.002307 | ¥501.15 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V, 12 V
漏极电流 1.5 A, 1.3 A
漏源电阻 180 mOhms, 260 mOhms
栅极电压 - 10 V, + 10 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 1.8 nC, 2.4 nC
耗散功率 1 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 3 ns, 9 ns
上升时间 5 ns, 10 ns
晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 20 ns, 30 ns
典型接通延迟时间 5 ns, 8 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 US6M11
单位重量 7.500 mg
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0US6M11TR
型号:US6M11TR
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
1+: | ¥1.514693 |
10+: | ¥1.161005 |
30+: | ¥1.096057 |
100+: | ¥1.031108 |
500+: | ¥1.002307 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥1.51