货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
3000 | ¥1.478437 | ¥4435.31 |
6000 | ¥1.383122 | ¥8298.73 |
15000 | ¥1.287667 | ¥19315.00 |
30000 | ¥1.220932 | ¥36627.96 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 630 mA
漏源电阻 480 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 1.4 nC
耗散功率 300 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
高度 1 mm
长度 2.1 mm
宽度 1.25 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI1900DL-E3
单位重量 7.500 mg
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0SI1900DL-T1-E3
型号:SI1900DL-T1-E3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
3000+: | ¥1.478437 |
6000+: | ¥1.383122 |
15000+: | ¥1.287667 |
30000+: | ¥1.220932 |
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