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起订量:2500
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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2500 | ¥1.521832 | ¥3804.58 |
5000 | ¥1.423665 | ¥7118.32 |
12500 | ¥1.325498 | ¥16568.73 |
25000 | ¥1.256788 | ¥31419.70 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
产品 MOSFET Small Signal
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 8.58 A
漏源电阻 16.5 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 400 mV
栅极电荷 16.5 nC
耗散功率 880 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 16.27 ns
上升时间 11.66 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 59.38 ns
典型接通延迟时间 10.39 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 158 mg
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0DMN2016UTS-13
型号:DMN2016UTS-13
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
2500+: | ¥1.521832 |
5000+: | ¥1.423665 |
12500+: | ¥1.325498 |
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