
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥21.675683 | ¥21.68 |
| 10 | ¥19.43728 | ¥194.37 |
| 25 | ¥18.445581 | ¥461.14 |
| 100 | ¥13.834187 | ¥1383.42 |
| 250 | ¥13.702432 | ¥3425.61 |
| 500 | ¥11.72612 | ¥5863.06 |
| 1000 | ¥9.552176 | ¥9552.18 |
制造商 Toshiba
商标名 DTMOSIV
商标 Toshiba
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 8 A
漏源电阻 440 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 22 nC
耗散功率 80 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 5.5 ns
上升时间 40 ns
典型关闭延迟时间 70 ns
典型接通延迟时间 60 ns
高度 2.3 mm
长度 6.5 mm
宽度 5.5 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 330 mg
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0TK8P60W5,RVQ
型号:TK8P60W5,RVQ
品牌:Toshiba
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥21.675683 |
| 10+: | ¥19.43728 |
| 25+: | ¥18.445581 |
| 100+: | ¥13.834187 |
| 250+: | ¥13.702432 |
| 500+: | ¥11.72612 |
| 1000+: | ¥9.552176 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥21.68