DMN2016UTS-13
-
图像仅供参考
请参阅产品规格
- 制造商编号：
- DMN2016UTS-13
- 制造商：
- DIODES(美台)
- 产品类别：
- 射频晶体管
- 商品描述：
- MOSFET 2N-CH 20V 8.58A 8-TSSOP
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥7.457681 | ￥7.46 |
| 10 | ￥6.356785 | ￥63.57 |
| 100 | ￥4.750424 | ￥475.04 |
| 500 | ￥3.73263 | ￥1866.32 |
| 1000 | ￥2.884229 | ￥2884.23 |
规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
产品 MOSFET Small Signal
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 8.58 A
漏源电阻 16.5 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 400 mV
栅极电荷 16.5 nC
耗散功率 880 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 16.27 ns
上升时间 11.66 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 59.38 ns
典型接通延迟时间 10.39 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 158 mg
DMN2016UTS-13 同类别型号
注
DMN2016UTS-13品牌厂家：DIODES
，所属分类： 射频晶体管
，可在锐单商城现货采购DMN2016UTS-13、查询DMN2016UTS-13代理商；
DMN2016UTS-13价格批发咨询客服；这里拥有
DMN2016UTS-13中文资料
、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、 现货库存、封装信息、产品选型手册，还可快速找到DMN2016UTS-13
替代型号
、DMN2016UTS-13
数据手册PDF
。
DMN2016UTS-13
型号：DMN2016UTS-13
品牌：DIODES
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥7.457681 |
| 10+： | ￥6.356785 |
| 100+： | ￥4.750424 |
| 500+： | ￥3.73263 |
| 1000+： | ￥2.884229 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥7.46