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数量 | 价格 | 总计 |
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50 | ¥32.805242 | ¥1640.26 |
制造商 IXYS
商标 IXYS
技术 Si
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 650 V
饱和电压 1.77 V
栅极/发射极最大电压 20 V
在25 C的连续集电极电流 58 A
耗散功率 230 W
集电极连续电流(Max) 108 A
栅极—射极漏泄电流 100 nA
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 Through Hole
产品类型 IGBT Transistors
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0IXYP20N65B3D1
型号:IXYP20N65B3D1
品牌:IXYS
供货:锐单
单价:
50+: | ¥32.805242 |
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单价:¥0.00总价:¥0.00