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数量 | 价格 | 总计 |
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3000 | ¥1.541589 | ¥4624.77 |
6000 | ¥1.463204 | ¥8779.22 |
9000 | ¥1.358714 | ¥12228.43 |
30000 | ¥1.327347 | ¥39820.41 |
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 1.5 A, 1.5 A
漏源电阻 108 mOhms, 173 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 950 mV, 900 mV
栅极电荷 73 pC, 3 nC
耗散功率 500 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 1.4 ns, 14 ns
正向跨导(Min) 4 S, 4.5 S
上升时间 7.6 ns, 9.7 ns
晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 6.8 ns, 14.5 ns
典型接通延迟时间 4.1 ns, 6.7 ns
高度 1.1 mm
长度 3 mm
宽度 1.5 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 BSL215C H6327 SP001101000
单位重量 20 mg
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0BSL215CH6327XTSA1
型号:BSL215CH6327XTSA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
3000+: | ¥1.541589 |
6000+: | ¥1.463204 |
9000+: | ¥1.358714 |
30000+: | ¥1.327347 |
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