货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1+ : 需询价 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 310 mA
漏源电阻 2 Ohms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 500 pC
耗散功率 800 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 8.7 ns
上升时间 2.1 ns
晶体管类型 1 N - Channel
典型关闭延迟时间 18 ns
典型接通延迟时间 2.6 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 80 mg
购物车
0DMN62D0LFD-13
型号:DMN62D0LFD-13
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00