货期:国内(1~3工作日)
起订量:1000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1000 | ¥17.383054 | ¥17383.05 |
2000 | ¥16.368015 | ¥32736.03 |
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 18 A
漏源电阻 265 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3.5 V
栅极电荷 35 nC
耗散功率 101 W
通道模式 Enhancement
下降时间 8 ns
上升时间 15 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 71 ns
典型接通延迟时间 14 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPB65R125C7 SP002447564
单位重量 324 mg
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0IPB65R125C7ATMA2
型号:IPB65R125C7ATMA2
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1000+: | ¥17.383054 |
2000+: | ¥16.368015 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00