货期:(7~10天)
起订量:10000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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10000 | ¥1.314064 | ¥13140.64 |
30000 | ¥1.294663 | ¥38839.89 |
50000 | ¥1.21682 | ¥60841.00 |
100000 | ¥1.197299 | ¥119729.90 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 12 V
漏极电流 12.2 A
漏源电阻 6.6 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 300 mV
栅极电荷 13.6 nC
耗散功率 1.7 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 7.5 ns
上升时间 6.6 ns
典型关闭延迟时间 17.5 ns
典型接通延迟时间 3.5 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 65 mg
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0DMN1008UFDF-13
型号:DMN1008UFDF-13
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
10000+: | ¥1.314064 |
30000+: | ¥1.294663 |
50000+: | ¥1.21682 |
100000+: | ¥1.197299 |
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