BSC100N10NSFGATMA1
-
图像仅供参考
请参阅产品规格
- 制造商编号：
- BSC100N10NSFGATMA1
- 制造商：
- INFINEON(英飞凌)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 100V 90A TDSON-8
- 渠道：
- digikey
库存 ：7980
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥29.038108 | ￥29.04 |
| 10 | ￥24.114254 | ￥241.14 |
| 100 | ￥19.196714 | ￥1919.67 |
| 500 | ￥16.242907 | ￥8121.45 |
| 1000 | ￥13.781866 | ￥13781.87 |
| 2000 | ￥13.092779 | ￥26185.56 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
BSC100N10NSFGATMA1
制造商
INFINEON(英飞凌)
商品描述
MOSFET N-CH 100V 90A TDSON-8
包装
Cut Tape (CT)
Alternate Packaging
系列
OptiMOS™
零件状态
Active
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
11.4A (Ta), 90A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
10mOhm @ 25A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 110µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
44nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
2900pF @ 50V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
156W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
PG-TDSON-8-1
封装/外壳
8-PowerTDFN
BSC100N10NSFGATMA1 同类别型号
注
BSC100N10NSFGATMA1品牌厂家：INFINEON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
，可在锐单商城现货采购BSC100N10NSFGATMA1、查询BSC100N10NSFGATMA1代理商；
BSC100N10NSFGATMA1价格批发咨询客服；这里拥有
BSC100N10NSFGATMA1中文资料
、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、 现货库存、封装信息、产品选型手册，还可快速找到BSC100N10NSFGATMA1
替代型号
、BSC100N10NSFGATMA1
数据手册PDF
。
BSC100N10NSFGATMA1
型号：BSC100N10NSFGATMA1
品牌：INFINEON
供货：锐单
库存：7980 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥29.038108 |
| 10+： | ￥24.114254 |
| 100+： | ￥19.196714 |
| 500+： | ￥16.242907 |
| 1000+： | ￥13.781866 |
| 2000+： | ￥13.092779 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥29.04