US6K1TR
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：3000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ￥1.277743 | ￥3833.23 |
| 6000 | ￥1.21046 | ￥7262.76 |
| 9000 | ￥1.120807 | ￥10087.26 |
| 30000 | ￥1.109709 | ￥33291.27 |
规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 1.5 A
漏源电阻 240 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 500 mV
栅极电荷 2.2 nC
耗散功率 1 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 6 ns
上升时间 9 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 15 ns
典型接通延迟时间 7 ns
外形参数
高度 0.77 mm
长度 2 mm
宽度 1.7 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 MOSFET
零件号别名 US6K1
单位重量 7.500 mg
US6K1TR 同类别型号
注
US6K1TR品牌厂家：ROHM
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
、US6K1TR
数据手册PDF。
US6K1TR
型号：US6K1TR
品牌：ROHM
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 3000+： | ￥1.277743 |
| 6000+： | ￥1.21046 |
| 9000+： | ￥1.120807 |
| 30000+： | ￥1.109709 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00