GSID100A120T2C1
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整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 6 | ￥1600.860175 | ￥9605.16 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
GSID100A120T2C1
制造商
SEMIQ
商品描述
IGBT MOD 1200V 200A 640W
包装
-
系列
Amp+™
零件状态
Active
IGBT 类型
-
配置
Three Phase Inverter
电压 - 集射极击穿（最大值）
1200V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
200A
功率 - 最大值
640W
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）
2.1V @ 15V, 100A
电流 - 集电极截止（最大值）
1mA
不同 Vce 时的输入电容（Cies）
13.7nF @ 25V
输入
Three Phase Bridge Rectifier
NTC 热敏电阻
Yes
工作温度
-40°C ~ 150°C
安装类型
Chassis Mount
封装/外壳
Module
供应商器件封装
Module
GSID100A120T2C1 同类别型号
注
GSID100A120T2C1
型号：GSID100A120T2C1
品牌：SEMIQ
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 6+： | ￥1600.860175 |
货期：7-10天
+ -
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