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DGTD65T15H2TF

DIODES(美台)
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制造商编号:
DGTD65T15H2TF
制造商:
DIODES(美台)
产品类别:
晶体管-IGBT
商品描述:
IGBT600V-XITO-220AB
渠道:
自营
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库存 :有货

货期:国内(1~3工作日)

起订量:1

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1 12.74003 12.74
10 11.206605 112.07
30 10.240337 307.21
100 9.253064 925.31
500 8.811941 4405.97

规格参数

关键信息

制造商 Diodes Incorporated

商标 Diodes Incorporated

技术类参数

技术 Si

配置 Single

击穿电压(集电极-发射极) 650 V

饱和电压 1.65 V

在25 C的连续集电极电流 30 A

耗散功率 48 W

栅极—射极漏泄电流 +/- 100 nA

物理类型

产品种类 IGBT 晶体管

安装风格 Through Hole

产品类型 IGBT Transistors

单位重量 2 g

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DGTD65T15H2TF

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型号:DGTD65T15H2TF

品牌:DIODES

供货:锐单

库存:有货 MPQ:4000 MOQ:1

单价:

1+: ¥12.74003
10+: ¥11.206605
30+: ¥10.240337
100+: ¥9.253064
500+: ¥8.811941

货期:1-2天

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