货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥12.74003 | ¥12.74 |
10 | ¥11.206605 | ¥112.07 |
30 | ¥10.240337 | ¥307.21 |
100 | ¥9.253064 | ¥925.31 |
500 | ¥8.811941 | ¥4405.97 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 650 V
饱和电压 1.65 V
在25 C的连续集电极电流 30 A
耗散功率 48 W
栅极—射极漏泄电流 +/- 100 nA
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 Through Hole
产品类型 IGBT Transistors
单位重量 2 g
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0DGTD65T15H2TF
型号:DGTD65T15H2TF
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
1+: | ¥12.74003 |
10+: | ¥11.206605 |
30+: | ¥10.240337 |
100+: | ¥9.253064 |
500+: | ¥8.811941 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥12.74