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APTMC120AM16CD3AG

MICROSEMI(美高森美)
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制造商编号:
APTMC120AM16CD3AG
制造商:
MICROSEMI(美高森美)
产品类别:
射频晶体管
商品描述:
MOSFET 2N-CH 1200V 131A D3
渠道:
digikey

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规格参数

属性
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制造商型号

APTMC120AM16CD3AG

制造商

MICROSEMI(美高森美)

商品描述

MOSFET 2N-CH 1200V 131A D3

包装

Bulk

系列

-

零件状态

Active

FET 类型

2 N-Channel (Half Bridge)

FET 功能

Silicon Carbide (SiC)

漏源电压(Vdss)

1200V (1.2kV)

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)

131A (Tc)

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)

20mOhm @ 100A, 20V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)

2.2V @ 5mA (Typ)

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)

246nC @ 20V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)

4750pF @ 1000V

功率 - 最大值

625W

工作温度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安装类型

Chassis Mount

封装/外壳

D-3 Module

供应商器件封装

D3

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型号:APTMC120AM16CD3AG

品牌:MICROSEMI

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