ECH8660-TL-H
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：3000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ￥1.473369 | ￥4420.11 |
| 6000 | ￥1.395823 | ￥8374.94 |
| 9000 | ￥1.292449 | ￥11632.04 |
| 30000 | ￥1.279652 | ￥38389.56 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 4.5 A
漏源电阻 110 mOhms, 82 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.6 V
栅极电荷 4.4 nC, 10 nC
耗散功率 1.3 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 7.5 ns, 35 ns
上升时间 11 ns, 26 ns
晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 17 ns, 45 ns
典型接通延迟时间 6.2 ns, 7.5 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 19.450 mg
ECH8660-TL-H 同类别型号
注
ECH8660-TL-H品牌厂家：ON
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
、ECH8660-TL-H
数据手册PDF。
ECH8660-TL-H
型号：ECH8660-TL-H
品牌：ON
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 3000+： | ￥1.473369 |
| 6000+： | ￥1.395823 |
| 9000+： | ￥1.292449 |
| 30000+： | ￥1.279652 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00