STGP30H60DFB
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货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥18.226313 | ￥18.23 |
| 10 | ￥16.386754 | ￥163.87 |
| 100 | ￥13.425401 | ￥1342.54 |
| 500 | ￥11.428745 | ￥5714.37 |
| 1000 | ￥9.638729 | ￥9638.73 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
STGP30H60DFB
制造商
ST(意法半导体)
商品描述
TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, HB
包装
Tube
系列
-
零件状态
Active
IGBT 类型
Trench Field Stop
电压 - 集射极击穿（最大值）
600V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
60A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)
120A
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）
2V @ 15V, 30A
功率 - 最大值
260W
开关能量
383µJ (on), 293µJ (off)
输入类型
Standard
栅极电荷
149nC
25°C 时 Td（开/关）值
37ns/146ns
测试条件
400V, 30A, 10Ohm, 15V
反向恢复时间（trr）
53ns
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Through Hole
封装/外壳
TO-220-3
供应商器件封装
TO-220
STGP30H60DFB 同类别型号
注
STGP30H60DFB品牌厂家：ST
，所属分类： 晶体管-IGBT
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替代型号
、STGP30H60DFB
数据手册PDF。
STGP30H60DFB
型号：STGP30H60DFB
品牌：ST
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥18.226313 |
| 10+： | ￥16.386754 |
| 100+： | ￥13.425401 |
| 500+： | ￥11.428745 |
| 1000+： | ￥9.638729 |
货期：1-2天
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单价：￥0.00总价：￥18.23