SIHD6N62ET1-GE3
-
图像仅供参考
请参阅产品规格
- 制造商编号：
- SIHD6N62ET1-GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 620V 6A TO252AA
- 渠道：
- digikey
库存 ：2000
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥21.959026 | ￥21.96 |
| 10 | ￥19.678121 | ￥196.78 |
| 25 | ￥18.683589 | ￥467.09 |
| 100 | ￥14.012692 | ￥1401.27 |
| 250 | ￥13.879237 | ￥3469.81 |
| 500 | ￥11.877425 | ￥5938.71 |
| 1000 | ￥9.675431 | ￥9675.43 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标 Vishay / Siliconix
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 620 V
漏极电流 6 A
漏源电阻 780 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 34 nC
耗散功率 78 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 16 ns
正向跨导（Min） 1.8 S
上升时间 10 ns
典型关闭延迟时间 22 ns
典型接通延迟时间 12 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 330 mg
SIHD6N62ET1-GE3 同类别型号
注
SIHD6N62ET1-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
，可在锐单商城现货采购SIHD6N62ET1-GE3、查询SIHD6N62ET1-GE3代理商；
SIHD6N62ET1-GE3价格批发咨询客服；这里拥有
SIHD6N62ET1-GE3中文资料
、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、 现货库存、封装信息、产品选型手册，还可快速找到SIHD6N62ET1-GE3
替代型号
、SIHD6N62ET1-GE3
数据手册PDF。
SIHD6N62ET1-GE3
型号：SIHD6N62ET1-GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：2000 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥21.959026 |
| 10+： | ￥19.678121 |
| 25+： | ￥18.683589 |
| 100+： | ￥14.012692 |
| 250+： | ￥13.879237 |
| 500+： | ￥11.877425 |
| 1000+： | ￥9.675431 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥21.96