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| 1+ : 需询价 | ||
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 12 A
漏源电阻 420 mOhms
耗散功率 50 W
正向跨导(Min) 3.5 S
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 2 g
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0R6012ANX
型号:R6012ANX
品牌:ROHM
供货:锐单
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