货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥8.225236 | ¥8.23 |
10 | ¥7.103612 | ¥71.04 |
100 | ¥4.916448 | ¥491.64 |
500 | ¥4.108132 | ¥2054.07 |
1000 | ¥3.496223 | ¥3496.22 |
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 4.5 A
漏源电阻 110 mOhms, 82 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.6 V
栅极电荷 4.4 nC, 10 nC
耗散功率 1.3 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 7.5 ns, 35 ns
上升时间 11 ns, 26 ns
晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 17 ns, 45 ns
典型接通延迟时间 6.2 ns, 7.5 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 19.450 mg
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0ECH8660-TL-H
型号:ECH8660-TL-H
品牌:ON
供货:锐单
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1+: | ¥8.225236 |
10+: | ¥7.103612 |
100+: | ¥4.916448 |
500+: | ¥4.108132 |
1000+: | ¥3.496223 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥8.23