IXYA20N65C3D1
库存 ：295
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥60.817144 | ￥60.82 |
| 10 | ￥54.624179 | ￥546.24 |
| 100 | ￥44.757462 | ￥4475.75 |
| 500 | ￥38.100953 | ￥19050.48 |
| 1000 | ￥32.479693 | ￥32479.69 |
规格参数
关键信息
制造商 IXYS
商标 IXYS
技术类参数
技术 Si
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 650 V
饱和电压 2.27 V
栅极/发射极最大电压 20 V
在25 C的连续集电极电流 50 A
耗散功率 200 W
集电极连续电流（Max） 105 A
栅极—射极漏泄电流 100 nA
物理类型
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 SMD/SMT
产品类型 IGBT Transistors
IXYA20N65C3D1 同类别型号
注
IXYA20N65C3D1
型号：IXYA20N65C3D1
品牌：IXYS
供货：锐单
库存：295 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥60.817144 |
| 10+： | ￥54.624179 |
| 100+： | ￥44.757462 |
| 500+： | ￥38.100953 |
| 1000+： | ￥32.479693 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥60.82