SIA913ADJ-T1-GE3
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- 制造商编号：
- SIA913ADJ-T1-GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 射频晶体管
- 商品描述：
- MOSFET 2P-CH 12V 4.5A SC70-6
- 渠道：
- digikey
库存 ：18013
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET, PowerPAK
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 12 V
漏极电流 4.5 A
漏源电阻 115 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 20 nC
耗散功率 6.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SIA913ADJ-GE3
单位重量 28 mg
SIA913ADJ-T1-GE3 同类别型号
注
SIA913ADJ-T1-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
、SIA913ADJ-T1-GE3
数据手册PDF。
SIA913ADJ-T1-GE3
型号：SIA913ADJ-T1-GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：18013 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
货期：1-2天
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单价：￥0.00总价：￥0.00