NGTB20N135IHRWG
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥28.356212 | ￥28.36 |
| 10 | ￥25.462124 | ￥254.62 |
| 25 | ￥24.074131 | ￥601.85 |
| 100 | ￥19.258838 | ￥1925.88 |
| 250 | ￥18.188902 | ￥4547.23 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
技术 Si
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 1350 V
饱和电压 2.2 V
栅极/发射极最大电压 25 V
在25 C的连续集电极电流 40 A
耗散功率 394 W
栅极—射极漏泄电流 100 nA
物理类型
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 Through Hole
产品类型 IGBT Transistors
单位重量 6.500 g
NGTB20N135IHRWG 相关产品
NGTB20N135IHRWG 同类别型号
注
NGTB20N135IHRWG
型号：NGTB20N135IHRWG
品牌：ON
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥28.356212 |
| 10+： | ￥25.462124 |
| 25+： | ￥24.074131 |
| 100+： | ￥19.258838 |
| 250+： | ￥18.188902 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥28.36