DMT3020LFDB-7
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- 制造商编号：
- DMT3020LFDB-7
- 制造商：
- DIODES(美台)
- 产品类别：
- 射频晶体管
- 商品描述：
- MOSFET 2N-CHA 30V 7.7A DFN2020
- 渠道：
- 国内现货digikey
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：3000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ￥1.571066 | ￥4713.20 |
| 6000 | ￥1.491186 | ￥8947.12 |
| 9000 | ￥1.384704 | ￥12462.34 |
| 30000 | ￥1.352694 | ￥40580.82 |
规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 7.7 A
漏源电阻 20 mOhms, 20 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 7 nC
耗散功率 1.8 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 2.4 ns, 2.4 ns
上升时间 1.9 ns, 1.9 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 7.5 ns, 7.5 ns
典型接通延迟时间 1.8 ns, 1.8 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 6.750 mg
DMT3020LFDB-7 同类别型号
注
DMT3020LFDB-7品牌厂家：DIODES
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
、DMT3020LFDB-7
数据手册PDF
。
DMT3020LFDB-7
型号：DMT3020LFDB-7
品牌：DIODES
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 3000+： | ￥1.571066 |
| 6000+： | ￥1.491186 |
| 9000+： | ￥1.384704 |
| 30000+： | ￥1.352694 |
货期：1-2天
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单价：￥0.00总价：￥0.00