
货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ¥1.284592 | ¥3853.78 |
| 6000 | ¥1.219277 | ¥7315.66 |
| 9000 | ¥1.132212 | ¥10189.91 |
| 30000 | ¥1.106038 | ¥33181.14 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 7.7 A
漏源电阻 20 mOhms, 20 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 7 nC
耗散功率 1.8 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 2.4 ns, 2.4 ns
上升时间 1.9 ns, 1.9 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 7.5 ns, 7.5 ns
典型接通延迟时间 1.8 ns, 1.8 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 6.750 mg
购物车
0DMT3020LFDB-7
型号:DMT3020LFDB-7
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
| 3000+: | ¥1.284592 |
| 6000+: | ¥1.219277 |
| 9000+: | ¥1.132212 |
| 30000+: | ¥1.106038 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00