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NGTB40N120FL2WG

ON(安森美)
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制造商编号：
NGTB40N120FL2WG
制造商：
ON(安森美)
产品类别：
晶体管-IGBT
商品描述：
IGBT 1200V 80A 535W TO247
渠道：
国内现货
自营
digikey

库存 ：有货

货期：国内（1~3工作日）

起订量：1

整装： ￥10

定价（含税）

数量 价格 总计
1 ￥43.190892 ￥43.19

规格参数

关键信息

制造商 onsemi

商标 onsemi

技术类参数

技术 Si

配置 Single

击穿电压(集电极-发射极) 1200 V

饱和电压 2 V

栅极/发射极最大电压 30 V

在25 C的连续集电极电流 80 A

耗散功率 535 W

栅极—射极漏泄电流 200 nA

物理类型

产品种类 IGBT 晶体管

安装风格 Through Hole

产品类型 IGBT Transistors

单位重量 6.500 g

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注

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型号：NGTB40N120FL2WG

品牌：ON

供货：锐单

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1+： ￥43.190892

货期：1-2天

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