CSD85301Q2
库存 ：19892
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥7.931185 | ￥7.93 |
| 10 | ￥6.806614 | ￥68.07 |
| 100 | ￥5.080693 | ￥508.07 |
| 500 | ￥3.992346 | ￥1996.17 |
| 1000 | ￥3.084995 | ￥3085.00 |
规格参数
关键信息
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 8 A
漏源电阻 27 mOhms
栅极电压 - 10 V, + 10 V
栅源极阈值电压 600 mV
栅极电荷 5.4 nC
耗散功率 2.3 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 15 ns, 15 ns
正向跨导（Min） 20 S, 20 S
上升时间 26 ns, 26 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 14 ns, 14 ns
典型接通延迟时间 6 ns, 6 ns
外形参数
高度 0.75 mm
长度 2 mm
宽度 2 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 9.700 mg
CSD85301Q2 同类别型号
注
CSD85301Q2品牌厂家：TI
，所属分类： 射频晶体管
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数据手册PDF
。
CSD85301Q2
型号：CSD85301Q2
品牌：TI
供货：锐单
库存：19892 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥7.931185 |
| 10+： | ￥6.806614 |
| 100+： | ￥5.080693 |
| 500+： | ￥3.992346 |
| 1000+： | ￥3.084995 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥7.93