
货期:国内(1~3工作日)
起订量:800
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 800 | ¥8.699633 | ¥6959.71 |
| 1600 | ¥7.38153 | ¥11810.45 |
| 2400 | ¥7.012457 | ¥16829.90 |
| 5600 | ¥6.748825 | ¥37793.42 |
制造商 Infineon
商标 Infineon / IR
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 55 V
漏极电流 131 A
漏源电阻 5.3 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 170 nC
耗散功率 200 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 110 ns
正向跨导(Min) 69 S
上升时间 190 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 130 ns
典型接通延迟时间 13 ns
高度 2.3 mm
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IRF1405STRLPBF SP001571200
单位重量 330 mg
购物车
0IRF1405STRLPBF
型号:IRF1405STRLPBF
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 800+: | ¥8.699633 |
| 1600+: | ¥7.38153 |
| 2400+: | ¥7.012457 |
| 5600+: | ¥6.748825 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00