BSC085N025S G
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- 制造商编号：
- BSC085N025S G
- 制造商：
- INFINEON(英飞凌)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 25V 35A TDSON-8
- 渠道：
- 国内现货digikey
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥2.780222 | ￥2.78 |
| 10 | ￥2.030652 | ￥20.31 |
| 30 | ￥1.887552 | ￥56.63 |
| 100 | ￥1.751267 | ￥175.13 |
| 500 | ￥1.689938 | ￥844.97 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
BSC085N025S G
制造商
INFINEON(英飞凌)
商品描述
MOSFET N-CH 25V 35A TDSON-8
包装
Tape & Reel (TR)
系列
OptiMOS™
零件状态
Obsolete
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
25V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
14A (Ta), 35A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
8.5mOhm @ 35A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2V @ 25µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
14nC @ 5V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
1800pF @ 15V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2.8W (Ta), 52W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
PG-TDSON-8-1
封装/外壳
8-PowerTDFN
BSC085N025S G 同类别型号
注
BSC085N025S G品牌厂家：INFINEON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、BSC085N025S G
数据手册PDF。
BSC085N025S G
型号：BSC085N025S G
品牌：INFINEON
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥2.780222 |
| 10+： | ￥2.030652 |
| 30+： | ￥1.887552 |
| 100+： | ￥1.751267 |
| 500+： | ￥1.689938 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥2.78