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制造商 onsemi
商标 onsemi / Fairchild
技术 Si
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 1000 V
饱和电压 1.5 V
栅极/发射极最大电压 25 V
在25 C的连续集电极电流 60 A
耗散功率 180 W
集电极连续电流 60 A
集电极连续电流(Max) 60 A
栅极—射极漏泄电流 +/- 500 nA
高度 26 mm
长度 20 mm
宽度 5 mm
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 Through Hole
产品类型 IGBT Transistors
零件号别名 FGL60N100BNTDTU_NL
单位重量 6.756 g
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0FGL60N100BNTDTU
型号:FGL60N100BNTDTU
品牌:ON
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