TK10Q60W,S1VQ
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请参阅产品规格
- 制造商编号：
- TK10Q60W,S1VQ
- 制造商：
- Toshiba(东芝)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 600V 9.7A IPAK
- 渠道：
- digikey
库存 ：10
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥19.078796 | ￥19.08 |
规格参数
关键信息
制造商 Toshiba
商标名 DTMOSIV
商标 Toshiba
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 9.7 A
漏源电阻 327 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 3.7 V
栅极电荷 20 nC
耗散功率 80 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 5.5 ns
上升时间 22 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 75 ns
典型接通延迟时间 45 ns
外形参数
高度 6.1 mm
长度 6.65 mm
宽度 2.3 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 340 mg
TK10Q60W,S1VQ 同类别型号
注
TK10Q60W,S1VQ品牌厂家：Toshiba
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
，可在锐单商城现货采购TK10Q60W,S1VQ、查询TK10Q60W,S1VQ代理商；
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替代型号
、TK10Q60W,S1VQ
数据手册PDF
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TK10Q60W,S1VQ
型号：TK10Q60W,S1VQ
品牌：Toshiba
供货：锐单
库存：10 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥19.078796 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥19.08