搜索

SIR108DP-T1-RE3

SILICONIX(威世)
图像仅供参考
请参阅产品规格
制造商编号:
SIR108DP-T1-RE3
制造商:
SILICONIX(威世)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK SO-8
渠道:
digikey

库存 :5800

货期:(7~10天)

起订量:1

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1 23.375737 23.38
10 20.896493 208.96
25 19.83396 495.85
100 14.874052 1487.41
250 14.732097 3683.02
500 12.607315 6303.66
1000 10.269883 10269.88

规格参数

属性
参数值

制造商型号

SIR108DP-T1-RE3

制造商

SILICONIX(威世)

商品描述

MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK SO-8

包装

Cut Tape (CT) Alternate Packaging

系列

TrenchFET® Gen IV

零件状态

Active

FET 类型

N-Channel

技术

MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压(Vdss)

100V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)

12.4A (Ta), 45A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

7.5V, 10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)

13.5mOhm @ 10A, 10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)

3.6V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)

41.5nC @ 10V

Vgs(最大值)

±20V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)

2060pF @ 50V

FET 功能

-

功率耗散(最大值)

5W (Ta), 65.7W (Tc)

工作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安装类型

Surface Mount

供应商器件封装

PowerPAK® SO-8

封装/外壳

PowerPAK® SO-8

SIR108DP-T1-RE3 相关产品

SIR108DP-T1-RE3品牌厂家:SILICONIX ,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个 ,可在锐单商城现货采购SIR108DP-T1-RE3、查询SIR108DP-T1-RE3代理商; SIR108DP-T1-RE3价格批发咨询客服;这里拥有 SIR108DP-T1-RE3中文资料 、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、 现货库存、封装信息、产品选型手册,还可快速找到SIR108DP-T1-RE3 替代型号 、SIR108DP-T1-RE3 数据手册PDF

购物车

SIR108DP-T1-RE3

锐单logo

型号:SIR108DP-T1-RE3

品牌:SILICONIX

供货:锐单

库存:5800 MPQ:4000 MOQ:1

单价:

1+: ¥23.375737
10+: ¥20.896493
25+: ¥19.83396
100+: ¥14.874052
250+: ¥14.732097
500+: ¥12.607315
1000+: ¥10.269883

货期:7-10天

+ -

单价:¥0.00总价:¥23.38