SIR108DP-T1-RE3
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- 制造商编号：
- SIR108DP-T1-RE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK SO-8
- 渠道：
- digikey
库存 ：5800
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥23.375737 | ￥23.38 |
| 10 | ￥20.896493 | ￥208.96 |
| 25 | ￥19.83396 | ￥495.85 |
| 100 | ￥14.874052 | ￥1487.41 |
| 250 | ￥14.732097 | ￥3683.02 |
| 500 | ￥12.607315 | ￥6303.66 |
| 1000 | ￥10.269883 | ￥10269.88 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
SIR108DP-T1-RE3
制造商
SILICONIX(威世)
商品描述
MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK SO-8
包装
Cut Tape (CT)
Alternate Packaging
系列
TrenchFET® Gen IV
零件状态
Active
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
12.4A (Ta), 45A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
7.5V, 10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
13.5mOhm @ 10A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
3.6V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
41.5nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
2060pF @ 50V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
5W (Ta), 65.7W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
PowerPAK® SO-8
封装/外壳
PowerPAK® SO-8
SIR108DP-T1-RE3 同类别型号
注
SIR108DP-T1-RE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、SIR108DP-T1-RE3
数据手册PDF。
SIR108DP-T1-RE3
型号：SIR108DP-T1-RE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：5800 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥23.375737 |
| 10+： | ￥20.896493 |
| 25+： | ￥19.83396 |
| 100+： | ￥14.874052 |
| 250+： | ￥14.732097 |
| 500+： | ￥12.607315 |
| 1000+： | ￥10.269883 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥23.38