货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥54.939662 | ¥54.94 |
200 | ¥21.270218 | ¥4254.04 |
500 | ¥20.521368 | ¥10260.68 |
1000 | ¥20.146943 | ¥20146.94 |
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术 Si
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 650 V
饱和电压 1.6 V
栅极/发射极最大电压 20 V
在25 C的连续集电极电流 60 A
耗散功率 300 W
集电极连续电流(Max) 60 A
栅极—射极漏泄电流 100 nA
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 Through Hole
产品类型 IGBT Transistors
单位重量 6 g
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0NGTB30N65IHL2WG
型号:NGTB30N65IHL2WG
品牌:ON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥54.939662 |
200+: | ¥21.270218 |
500+: | ¥20.521368 |
1000+: | ¥20.146943 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥54.94