NGTB30N65IHL2WG
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货期： 8周-10周
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥62.992469 | ￥62.99 |
| 200 | ￥24.38791 | ￥4877.58 |
| 500 | ￥23.529297 | ￥11764.65 |
| 1000 | ￥23.09999 | ￥23099.99 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
技术 Si
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 650 V
饱和电压 1.6 V
栅极/发射极最大电压 20 V
在25 C的连续集电极电流 60 A
耗散功率 300 W
集电极连续电流（Max） 60 A
栅极—射极漏泄电流 100 nA
物理类型
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 Through Hole
产品类型 IGBT Transistors
单位重量 6 g
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注
NGTB30N65IHL2WG
型号：NGTB30N65IHL2WG
品牌：ON
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥62.992469 |
| 200+： | ￥24.38791 |
| 500+： | ￥23.529297 |
| 1000+： | ￥23.09999 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥62.99