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NGTB30N65IHL2WG

ON(安森美)
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制造商编号:
NGTB30N65IHL2WG
制造商:
ON(安森美)
产品类别:
晶体管-IGBT
商品描述:
IGBT 600V 70A 300W TO247
渠道:
digikey

库存 :0

货期: 8周-10周

起订量:1

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1 54.939662 54.94
200 21.270218 4254.04
500 20.521368 10260.68
1000 20.146943 20146.94

规格参数

关键信息

制造商 onsemi

商标 onsemi

技术类参数

技术 Si

配置 Single

击穿电压(集电极-发射极) 650 V

饱和电压 1.6 V

栅极/发射极最大电压 20 V

在25 C的连续集电极电流 60 A

耗散功率 300 W

集电极连续电流(Max) 60 A

栅极—射极漏泄电流 100 nA

物理类型

产品种类 IGBT 晶体管

安装风格 Through Hole

产品类型 IGBT Transistors

单位重量 6 g

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NGTB30N65IHL2WG

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型号:NGTB30N65IHL2WG

品牌:ON

供货:锐单

库存:0 MPQ:4000 MOQ:1

单价:

1+: ¥54.939662
200+: ¥21.270218
500+: ¥20.521368
1000+: ¥20.146943

货期:7-10天

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