
货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥23.737358 | ¥23.74 |
| 10 | ¥21.299309 | ¥212.99 |
| 100 | ¥17.451051 | ¥1745.11 |
| 500 | ¥14.855612 | ¥7427.81 |
| 1000 | ¥12.528824 | ¥12528.82 |
制造商 IXYS
商标名 HiPerFET
商标 IXYS
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 10 A
漏源电阻 740 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
耗散功率 200 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 21 ns
正向跨导(Min) 11 S
上升时间 27 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 65 ns
典型接通延迟时间 23 ns
高度 9.15 mm
长度 10.66 mm
宽度 4.83 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 2 g
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0IXFP10N60P
型号:IXFP10N60P
品牌:IXYS
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥23.737358 |
| 10+: | ¥21.299309 |
| 100+: | ¥17.451051 |
| 500+: | ¥14.855612 |
| 1000+: | ¥12.528824 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥23.74