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| 数量 | 价格 | 总计 |
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| 1+ : 需询价 | ||
制造商 IXYS
商标名 HiPerFET
商标 IXYS
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 500 V
漏极电流 6 A
漏源电阻 550 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
耗散功率 50 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 20 ns
上升时间 27 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 65 ns
典型接通延迟时间 22 ns
高度 9.15 mm
长度 10.66 mm
宽度 4.83 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 2 g
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0IXFP12N50PM
型号:IXFP12N50PM
品牌:IXYS
供货:锐单
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