
货期:(7~10天)
起订量:2500
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 2500 | ¥10.151021 | ¥25377.55 |
| 5000 | ¥9.415464 | ¥47077.32 |
| 12500 | ¥9.047685 | ¥113096.06 |
| 25000 | ¥8.826962 | ¥220674.05 |
制造商 Taiwan Semiconductor
商标 Taiwan Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 107 A
漏源电阻 4.8 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 105 nC
耗散功率 136 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 38 ns
正向跨导(Min) 66 S
上升时间 20 ns
晶体管类型 Single N-Channel Power MOSFET
典型关闭延迟时间 78 ns
典型接通延迟时间 4 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 TSM048NB06LCR
单位重量 372.608 mg
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0TSM048NB06LCR RLG
型号:TSM048NB06LCR RLG
品牌:Taiwan Semiconductor
供货:锐单
单价:
| 2500+: | ¥10.151021 |
| 5000+: | ¥9.415464 |
| 12500+: | ¥9.047685 |
| 25000+: | ¥8.826962 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥0.00