
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥21.675683 | ¥21.68 |
| 10 | ¥19.493949 | ¥194.94 |
| 25 | ¥18.388913 | ¥459.72 |
| 100 | ¥14.344203 | ¥1434.42 |
| 250 | ¥13.976142 | ¥3494.04 |
| 500 | ¥12.13725 | ¥6068.63 |
| 1000 | ¥10.298217 | ¥10298.22 |
制造商 Taiwan Semiconductor
商标 Taiwan Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 107 A
漏源电阻 4.8 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 105 nC
耗散功率 136 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 38 ns
正向跨导(Min) 66 S
上升时间 20 ns
晶体管类型 Single N-Channel Power MOSFET
典型关闭延迟时间 78 ns
典型接通延迟时间 4 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 TSM048NB06LCR
单位重量 372.608 mg
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0TSM048NB06LCR RLG
型号:TSM048NB06LCR RLG
品牌:Taiwan Semiconductor
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥21.675683 |
| 10+: | ¥19.493949 |
| 25+: | ¥18.388913 |
| 100+: | ¥14.344203 |
| 250+: | ¥13.976142 |
| 500+: | ¥12.13725 |
| 1000+: | ¥10.298217 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥21.68