货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥18.904716 | ¥18.90 |
10 | ¥17.001888 | ¥170.02 |
25 | ¥16.038119 | ¥400.95 |
100 | ¥12.510474 | ¥1251.05 |
250 | ¥12.189466 | ¥3047.37 |
500 | ¥10.585654 | ¥5292.83 |
1000 | ¥8.981718 | ¥8981.72 |
制造商 Taiwan Semiconductor
商标 Taiwan Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 107 A
漏源电阻 4.8 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 105 nC
耗散功率 136 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 38 ns
正向跨导(Min) 66 S
上升时间 20 ns
晶体管类型 Single N-Channel Power MOSFET
典型关闭延迟时间 78 ns
典型接通延迟时间 4 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 TSM048NB06LCR
单位重量 372.608 mg
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0TSM048NB06LCR RLG
型号:TSM048NB06LCR RLG
品牌:Taiwan Semiconductor
供货:锐单
单价:
1+: | ¥18.904716 |
10+: | ¥17.001888 |
25+: | ¥16.038119 |
100+: | ¥12.510474 |
250+: | ¥12.189466 |
500+: | ¥10.585654 |
1000+: | ¥8.981718 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥18.90