
货期:国内(1~3工作日)
起订量:300
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 300 | ¥16.200161 | ¥4860.05 |
制造商 IXYS
商标名 HiPerFET
商标 IXYS
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 1 kV
漏极电流 4 A
漏源电阻 3.3 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 6 V
栅极电荷 26 nC
耗散功率 150 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 50 ns
正向跨导(Min) 1.8 S
上升时间 36 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 37 ns
典型接通延迟时间 24 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 2 g
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0IXFP4N100P
型号:IXFP4N100P
品牌:IXYS
供货:锐单
单价:
| 300+: | ¥16.200161 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00