FQB6N70TM
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- 制造商编号：
- FQB6N70TM
- 制造商：
- ROCHESTER(罗彻斯特电子)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- N-CHANNEL POWER MOSFET
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：21
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 21 | ￥9.381997 | ￥197.02 |
| 50 | ￥9.00685 | ￥450.34 |
| 100 | ￥8.631702 | ￥863.17 |
| 300 | ￥8.256224 | ￥2476.87 |
| 500 | ￥7.881076 | ￥3940.54 |
| 1000 | ￥7.505598 | ￥7505.60 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
FQB6N70TM
制造商
ROCHESTER(罗彻斯特电子)
商品描述
N-CHANNEL POWER MOSFET
包装
Bulk
系列
QFET®
零件状态
Obsolete
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
700V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
6.2A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
1.5Ohm @ 3.1A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
40nC @ 10V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
1.4pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
3.13W (Ta), 142W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
D²PAK (TO-263AB)
封装/外壳
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
FQB6N70TM 同类别型号
注
FQB6N70TM品牌厂家：ROCHESTER
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、FQB6N70TM
数据手册PDF。
FQB6N70TM
型号：FQB6N70TM
品牌：ROCHESTER
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 21+： | ￥9.381997 |
| 50+： | ￥9.00685 |
| 100+： | ￥8.631702 |
| 300+： | ￥8.256224 |
| 500+： | ￥7.881076 |
| 1000+： | ￥7.505598 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00