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起订量:1
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数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥49.718268 | ¥49.72 |
50 | ¥39.35095 | ¥1967.55 |
100 | ¥33.728674 | ¥3372.87 |
500 | ¥29.981238 | ¥14990.62 |
1000 | ¥25.671449 | ¥25671.45 |
2000 | ¥24.172424 | ¥48344.85 |
5000 | ¥23.190894 | ¥115954.47 |
制造商 IXYS
商标 IXYS
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 1 kV
漏极电流 700 mA
漏源电阻 15 Ohms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 4.5 V
栅极电荷 7.8 nC
耗散功率 25 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 28 ns
正向跨导(Min) 0.55 S
上升时间 19 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 40 ns
典型接通延迟时间 11 ns
高度 16.07 mm
长度 10.36 mm
宽度 4.9 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
类型 High Voltage MOSFET
单位重量 2 g
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0IXTP05N100M
型号:IXTP05N100M
品牌:IXYS
供货:锐单
单价:
1+: | ¥49.718268 |
50+: | ¥39.35095 |
100+: | ¥33.728674 |
500+: | ¥29.981238 |
1000+: | ¥25.671449 |
2000+: | ¥24.172424 |
5000+: | ¥23.190894 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥49.72