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数量 | 价格 | 总计 |
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1+ : 需询价 |
制造商 IXYS
商标 IXYS
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 1 kV
漏极电流 750 mA
漏源电阻 17 Ohms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
耗散功率 40 W
配置 Single
晶体管类型 1 N-Channel
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 340 mg
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0IXTU05N100
型号:IXTU05N100
品牌:IXYS
供货:锐单
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