ISP26DP06NMSATMA1
-
图像仅供参考
请参阅产品规格
- 制造商编号：
- ISP26DP06NMSATMA1
- 制造商：
- INFINEON(英飞凌)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET P-CH 60V SOT223-3
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
规格参数
关键信息
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 1.9 A
漏源电阻 260 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 10.8 nC
耗散功率 5 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 5 ns
正向跨导（Min） 3.1 S
上升时间 7 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 15 ns
典型接通延迟时间 5 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 ISP26DP06NMS SP004987242
单位重量 116.010 mg
ISP26DP06NMSATMA1 同类别型号
注
ISP26DP06NMSATMA1品牌厂家：INFINEON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
，可在锐单商城现货采购ISP26DP06NMSATMA1、查询ISP26DP06NMSATMA1代理商；
ISP26DP06NMSATMA1价格批发咨询客服；这里拥有
ISP26DP06NMSATMA1中文资料
、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、 现货库存、封装信息、产品选型手册，还可快速找到ISP26DP06NMSATMA1
替代型号
、ISP26DP06NMSATMA1
数据手册PDF。
ISP26DP06NMSATMA1
型号：ISP26DP06NMSATMA1
品牌：INFINEON
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00