SI7356ADP-T1-E3
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- 制造商编号：
- SI7356ADP-T1-E3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
- 渠道：
- 国内现货digikey
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：10
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 10 | ￥7.482952 | ￥74.83 |
| 50 | ￥6.984011 | ￥349.20 |
| 100 | ￥6.609976 | ￥661.00 |
| 500 | ￥6.485207 | ￥3242.60 |
| 1000 | ￥6.360574 | ￥6360.57 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
SI7356ADP-T1-E3
制造商
SILICONIX(威世)
商品描述
MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
包装
Tape & Reel (TR)
系列
TrenchFET®
零件状态
Obsolete
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
40A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
3mOhm @ 20A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
145nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
6215pF @ 15V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
5.4W (Ta), 83W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
PowerPAK® SO-8
封装/外壳
PowerPAK® SO-8
SI7356ADP-T1-E3 同类别型号
注
SI7356ADP-T1-E3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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数据手册PDF。
SI7356ADP-T1-E3
型号：SI7356ADP-T1-E3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 10+： | ￥7.482952 |
| 50+： | ￥6.984011 |
| 100+： | ￥6.609976 |
| 500+： | ￥6.485207 |
| 1000+： | ￥6.360574 |
货期：1-2天
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单价：￥0.00总价：￥0.00