
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥38.39841 | ¥38.40 |
| 10 | ¥34.482078 | ¥344.82 |
| 25 | ¥32.53615 | ¥813.40 |
| 100 | ¥27.720286 | ¥2772.03 |
| 250 | ¥26.02892 | ¥6507.23 |
| 500 | ¥22.775307 | ¥11387.65 |
| 1000 | ¥18.871059 | ¥18871.06 |
| 2500 | ¥17.569644 | ¥43924.11 |
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 100 A
漏源电阻 1.95 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.1 V
栅极电荷 77 nC
耗散功率 136 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 8 ns
正向跨导(Min) 120 S
上升时间 7 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 26 ns
典型接通延迟时间 12 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 BSC019N06NS SP001407774
单位重量 108.730 mg
购物车
0BSC019N06NSATMA1
型号:BSC019N06NSATMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥38.39841 |
| 10+: | ¥34.482078 |
| 25+: | ¥32.53615 |
| 100+: | ¥27.720286 |
| 250+: | ¥26.02892 |
| 500+: | ¥22.775307 |
| 1000+: | ¥18.871059 |
| 2500+: | ¥17.569644 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥38.40