货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥31.276404 | ¥31.28 |
10 | ¥28.08646 | ¥280.86 |
25 | ¥26.501458 | ¥662.54 |
100 | ¥22.578823 | ¥2257.88 |
250 | ¥21.201166 | ¥5300.29 |
500 | ¥18.55102 | ¥9275.51 |
1000 | ¥15.370921 | ¥15370.92 |
2500 | ¥14.310887 | ¥35777.22 |
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 100 A
漏源电阻 1.95 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.1 V
栅极电荷 77 nC
耗散功率 136 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 8 ns
正向跨导(Min) 120 S
上升时间 7 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 26 ns
典型接通延迟时间 12 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 BSC019N06NS SP001407774
单位重量 108.730 mg
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0BSC019N06NSATMA1
型号:BSC019N06NSATMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥31.276404 |
10+: | ¥28.08646 |
25+: | ¥26.501458 |
100+: | ¥22.578823 |
250+: | ¥21.201166 |
500+: | ¥18.55102 |
1000+: | ¥15.370921 |
2500+: | ¥14.310887 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥31.28